삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 메모리 생산라인 투자를 단행한다.

삼성전자는 1일 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드 수요 확대에 대응하기 위해 낸드플래시 생산라인을 구축한다고 밝혔다.

삼성전자는 내년 하반기부터 이곳에서 최첨단 V낸드 제품을 양산한다는 것이 목표다. V낸드는 반도체 셀(cell)을 수직으로 쌓아올려 집적도를 높인 제품으로, 삼성은 지난해 셀을 100단 이상 쌓는 6세대 V낸드를 세계 최초로 출시했다.

삼성전자의 이번 결정은 인공지능(AI)과 5세대(5G) 통신 확산, '언택트(비대면) 경제' 부흥으로 메모리 반도체 수요 급증이 예상되는 상황에서 시장 1등 기업으로서 선제적 투자를 통해 '초격차'를 유지하겠다는 전략으로 풀이된다.

이재용 부회장 역시 검찰 수사와 재판 와중에도 잇단 대규모 투자를 단행하면서 회사의 경영 비전을 분명히 했다는 평가가 나온다.

앞서 삼성전자는 지난달 21일 평택 P2라인에 EUV 초미세공정 기반의 파운드리 생산시설을 구축한다고 발표했다. 업계에서 파운드리 라인 조성에 9조원 안팎이 들 것으로 추정하는 점을 감안하면, 열흘 새 총 10조원대 후반의 투자 계획이 발표된 셈이다.

P2라인에는 회사의 또 다른 메모리반도체 주력 상품인 D램 생산시설도 갖춰질 예정이어서 전체 투자액은 30조원 수준이 될 거란 전망이 나온다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것"이라고 밝혔다.

 

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